據TrendForce集邦咨詢數據顯示，2025年第二季度，全球DRAM產業(yè)營收達到316.3億美元，相比第一季度增長了17.1%。這一增長主要得益于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價的上漲以及出貨量的顯著提升，同時HBM出貨規(guī)模的擴大也起到了推動作用。集邦咨詢分析稱，PC OEM、智能手機以及CSP廠商的采購需求逐步回升，推動DRAM原廠加速去庫存化，多數產品的合約價已止跌回升。在廠商排名方面，SK海力士、三星和美光繼續(xù)穩(wěn)居前三。三星在第二季度的表現相對平穩(wěn)，其售價和位元出貨量均
關鍵字：
DRAM SK海力士
根據 ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產品領域領先，但它仍然嚴重依賴日本的關鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進程更快地推進，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結構性風險。報告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細 TSV（硅通孔）堆疊結構依賴于由日本公司主要壟斷的關鍵材料和設備。報告強調，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進展緩慢。此外，SK
關鍵字：
內存 NAND DRAM
在AI需求爆發(fā)與高價值產品滲透的雙重推動下，2025年第二季度全球DRAM市場實現量價齊升。根據CFMS最新數據，二季度市場規(guī)模環(huán)比增長20%至321.01億美元，同比增長37%，創(chuàng)歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發(fā)優(yōu)勢，二季度DRAM銷售收入達122.71億美元，環(huán)比增長25.1%，市場份額提升至38.2%，連續(xù)第二個季度穩(wěn)居全球第一，并進一步拉開與三星的差距?！?三星以107.58億美元收入位列第二，環(huán)比增長13%，市場份額33.5%；· 美光科技收入70.71億
關鍵字：
DRAM SK海力士 三星 美光 HBM
SK海力士公司今天宣布，在日本京都舉行的20251年IEEE VLSI研討會上，該公司提出了未來30年的DRAM新技術路線圖和可持續(xù)創(chuàng)新的方向。SK海力士首席技術官（CTO）車善勇于6月10日發(fā)表了題為“推動DRAM技術創(chuàng)新：邁向可持續(xù)未來”的全體會議。首席技術官 Cha 在演講中解釋說，通過當前的技術平臺擴展來提高性能和容量變得越來越困難?！盀榱丝朔@些限制，SK海力士將在結構、材料和組件方面進行創(chuàng)新，將4F2 VG（垂直門）平臺和3D DRAM技術應用于10納米級或以下的技術。4F2 VG平臺是下一代
關鍵字：
SK海力士 IEEE VLSI 2025 DRAM
目前，在自動駕駛、智能家居系統和工業(yè)控制等領域，對邊緣智能硬件的需求日益增加，以在本地處理傳感器和智能設備生成的實時環(huán)境數據，從而最小化決策延遲。能夠精確模擬各種生物神經元行為的神經形態(tài)硬件有望推動超低功耗邊緣智能的發(fā)展?，F有研究已探索具有突觸可塑性（即通過自適應變化來增強或減弱突觸連接）的硬件，但要完全模擬學習和記憶過程，多種可塑性機制——包括內在可塑性——必須協同工作。為解決這一問題，由復旦大學微電子學院包文忠教授、集成電路與微納電子創(chuàng)新學院周鵬教授以及香港理工大學蔡陽教授領銜的聯合研究團隊提出了一種
關鍵字：
DRAM 閃存 半導體
三星電子因與英偉達的 HBM3E 驗證問題而面臨困境，據韓國媒體 outlets sedaily 和 The Hankyoreh 報道，該公司在其 8 月 14 日發(fā)布的半年度報告中稱，其 DRAM 市場份額按價值計算在 2025 年上半年降至 32.7%，較去年的 41.5%下降了 8.8 個百分點。值得注意的是，《韓民族日報》報道，三星的 DRAM 市場份額首次跌破 40%，自 2014 年以來，2025 年上半年降至 32.7%，而 2016 年曾達到 48%
關鍵字：
三星 DRAM 存儲
根據 TrendForce 最新內存現貨價格趨勢報告，關于 DDR4，由于兩家主要韓國供應商對消費級 DRAM 芯片實施了顯著的月度價格上調，之前的價格下跌趨勢有所緩解。至于 NAND 閃存，高容量產品受到買方和賣方預期價格差異的限制，實際交易中變得稀缺。詳情如下：DRAM 現貨價格：關于 DDR4 產品的現貨價格，由于兩家主要韓國供應商對消費級 DRAM 芯片實施了大幅度的月度漲價，之前的價格下跌趨勢有所緩和。目前，DDR4 市場顯示現貨價格已停止下跌，交易量有明顯增加。轉向 DDR5 產品，隨著合約價
關鍵字：
存儲 DRAM DDR4
隨著 JEDEC 于 7 月 9 日發(fā)布 LPDDR6 標準，內存巨頭正競相滿足來自移動和 AI 設備的激增需求。值得注意的是，據行業(yè)消息人士援引 商業(yè)時報 的報道，DDR6 預計將于 2027 年進入大規(guī)模應用。領先的 DRAM 制造商，包括三星、美光和 SK 海力士，已經啟動了 DDR6 開發(fā)，重點關注芯片設計、控制器驗證和封裝模塊集成。正如商業(yè)時報所述，三大主要 DRAM 制造商已完成 DDR6 原型芯片設計，現在正與內存控制器和平臺參與者如英特爾和 AMD 合作進行接口測試。在
關鍵字：
DDR6 DRAM 存儲
中國存儲半導體公司長鑫存儲科技 （CXMT） 和長江存儲科技 （YMTC） 正在加強其在全球存儲半導體市場的影響力，在大約一年后將其產能幾乎翻了一番。自去年以來，中國內存開始在三星電子和 SK 海力士主導的通用 DRAM 市場中嶄露頭角，從傳統 DRAM 開始，在國內市場需求和政府補貼的推動下，中國內存正在提高其競爭力。此外，它還對高帶寬內存 （HBM） 和 300 層 3D NAND 閃存等先進產品線提出了挑戰(zhàn)，縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據 ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
關鍵字：
CXMT YMTC DRAM NAND
隨著內存制造商逐步淘汰 DDR4，預計出貨將在 2026 年初結束，合同價格持續(xù)上漲。據中國的 華爾街見聞 報道，SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內存的合同價格上調約 20%，標志著新一輪價格上漲。這種趨勢與 TrendForce 的發(fā)現相呼應，該機構指出，三大主要 DRAM 供應商正在將產能重新分配給高端產品，并逐步淘汰 PC、服務器級 DDR4 和移動 LPDDR4X。因此，據 TrendForce 預測，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
關鍵字：
DDR4 DRAM 存儲
根據 TrendForce 最新的內存現貨價格趨勢報告，關于 DRAM，16Gb DDR4 消費者內存芯片的現貨價格持續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內存芯片則出現輕微回調。至于 NAND 閃存，供應商逐步釋放產能資源，加上中國國家補貼的減弱效應，導致現貨市場低迷。詳情如下：DRAM 現貨價格：盡管過去一周現貨價格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價格的快速大幅上漲。整體供應仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費級 DRAM 芯片的現貨價格繼續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等
關鍵字：
內存 DDR4 DRAM
上周，臺灣地區(qū)頂級 DRAM 制造商南亞科技據報道暫停了 DDR4 現貨報價，因為價格飆升?，F在，隨著 DDR4 16Gb 芯片的價格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫存中獲利，根據經濟日報的最新數據，引用了 DRAMeXchange 的數據，DRAMeXchange 是一個趨勢力旗下的 DRAM 定價平臺。隨著三星、美光和中國芯片制造商縮減 DDR4 生產，南亞科技已成為該行業(yè)的主要供應商。據報告稱，南亞科技第一季度庫存飆升至創(chuàng)紀錄的 37.59 億新
關鍵字：
DDR4 DRAM 存儲
東京科學研究所在 IEEE電子元件和技術會議 ECTC 上透露了其 BBCube 3D 集成流程的進展?！斑@些新技術可以幫助滿足高性能計算應用的需求，這些應用需要高內存帶寬和低功耗以及降低電源噪聲，”該研究所表示。BBCube 結合使用晶圓上晶圓 （WOW） 和晶圓上芯片 （COW） 技術，將處理器堆疊在一堆超薄 DRAM 芯片上。將處理器放在頂部有助于散熱，而該研究所的面朝下的 COW 工藝最初是為了擺脫焊接互連而開發(fā)的，而是在室溫下使用噴墨選擇性粘合劑沉積。用于 300mm 晶圓，實現了 10μm 的
關鍵字：
DRAM 處理器 3D堆棧集成
隨著三星和美光等主要內存制造商減少 DDR4 生產并價格上漲，據報道，臺灣地區(qū)的主要供應商南亞科技已暫停報價，這表明供應緊張和需求增長，據經濟日報報道。行業(yè)消息人士進一步解釋說，報價暫停主要發(fā)生在現貨市場，而在合同市場，供應商正在囤積庫存并穩(wěn)步推高價格。TrendForce 的最新調查發(fā)現，由于兩大主要 DRAM 供應商減少 DDR4 生產以及買家在美國關稅變化前加速采購，服務器和 PC 的 DDR4 合同價格預計將在 2025 年第二季度大幅上漲。因此，服務器 DDR4 合同價格預計環(huán)比將上漲
關鍵字：
DRAM 存儲 市場分析
1b dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條1b dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對1b dram的理解，并與今后在此搜索1b dram的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473